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RN1101

更新时间： 2024-01-20 03:41:37
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
7页 253K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

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RN1101 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.18Is Samacsys：N
电容：1 µF电容器类型：ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
直径：4 mm介电材料：ALUMINUM
长度：7 mm负容差：20%
端子数量：2最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装形式：Radial
极性：POLARIZED正容差：20%
额定（直流）电压（URdc）：63 V系列：RN(63V)
端子节距：1.5 mmBase Number Matches：1

RN1101 数据手册

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RN1101~RN1106  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1101,RN1102,RN1103  
RN1104,RN1105,RN1106  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
Unit: mm  
And Driver Circuit Applications  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
l Complementary to RN2101~RN2106  
Equivalent Circuit and Bias Resister Values  
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
RN1101  
RN1102  
RN1103  
RN1104  
RN1105  
RN1106  
4.7  
10  
4.7  
10  
22  
47  
47  
47  
22  
47  
2.2  
4.7  
JEDEC  
EIAJ  
―
―
TOSHIBA  
Weight: 2.4mg  
2-2H1A  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
RN1101~1106  
Collector-emitter voltage  
RN1101~1104  
RN1105, 1106  
10  
Emitter-base voltage  
V
V
EBO  
5
Collector current  
I
100  
100  
150  
−55~150ꢀ  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
C
RN1101~1106  
T
j
T
°C  
stg  
1
2001-06-07  
1234567

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RN1101 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RN1101MFV TOSHIBA

类似代替

 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
UN921L PANASONIC

类似代替

 Silicon NPN epitaxial planer transistor
RN1001 TOSHIBA

类似代替

 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

与RN1101相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1101(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN1101(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
RN1101(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN1101_07 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1101ACT TOSHIBA

获取价格

 		Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications
RN1101ACT(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,80MA I(C),SOT-883
RN1101CT TOSHIBA

获取价格

 		Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN1101CT(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SMT
RN1101F TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1101F_07 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

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