RN1101FS

更新时间： 2024-11-01 13:12:59

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管驱动
页数	文件大小	规格书
7页	253K
描述
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1E1A, FSM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1101FS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FSM, 2-1E1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATION IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RN1101FS 数据手册

RN1101~RN1106

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1101,RN1102,RN1103

RN1104,RN1105,RN1106

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

Unit: mm

And Driver Circuit Applications

l With built-in bias resistors

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Complementary to RN2101~RN2106

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN1101

RN1102

RN1103

RN1104

RN1105

RN1106

4.7

2.2

4.7

JEDEC

EIAJ

―

TOSHIBA

Weight: 2.4mg

2-2H1A

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

RN1101~1106

Collector-emitter voltage

RN1101~1104

RN1105, 1106

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

100

150

−55~150ꢀ

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1101~1106

°C

stg

2001-06-07

12 3 4 5 6 7

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