RM30DZ-H

更新时间： 2024-10-29 22:07:15

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三菱 - MITSUBISHI		整流二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	49K
描述
MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE

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RM30DZ-H 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	UL RECOGNIZED
应用：	MEDIUM POWER	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.4 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X3	最大非重复峰值正向电流：	600 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RM30DZ-H 数据手册

MITSUBISHI DIODE MODULES

RM30DZ/CZ-M,-H

MEDIUM POWER GENERAL USE

INSULATED TYPE

RM30DZ/CZ-M,-H

• IF(AV) Average forward current ............ 30A

• VRRM Repetitive peak reverse voltage

................400/800V

• DOUBLE ARMS

• Insulated Type

• UL Recognized

Yellow Card No. E80276 (N)

File No. E80271

APPLICATION

AC motor controllers, DC motor controllers, Battery DC power supplies,

DC power supplies for control panels, and other general DC power equipment

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

93.5

2–φ6.5

(DZ)

SR2

17.5

3–M5

(CZ)

K1K2

SR2

LABEL

Feb.1999

12 3

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RM30DZ-H 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PD308	NIEC	功能相似	DIODE MODULE 30A/800V
CD410830	POWEREX	功能相似	Dual Diode POW-R-BLOK⑩ Modules 30 Amperes/800

与RM30DZ-H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM30DZ-M	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE
RM30N100HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 24 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30N100LD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 31 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30N100T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 27 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30N100T7	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 40 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30N250DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 250 V;Id @ 25C (A) : 29 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 50 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30N30S8	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.2 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30P30D3	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30P40D3	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 10.5 mOhms;Total Gate Charge (n
RM30P40D3V	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 10.5 mOhms;Total Gate Charge (n

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