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RM30DZ-M

更新时间: 2024-11-16 22:23:47
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI /
页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE

RM30DZ-M 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PUFM-X3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.74
其他特性:UL RECOGNIZED应用:MEDIUM POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.4 VJESD-30 代码:R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流:600 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:30 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:400 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RM30DZ-M 数据手册

 浏览型号RM30DZ-M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RM30DZ-M的Datasheet PDF文件第3页 
MITSUBISHI DIODE MODULES  
RM30DZ/CZ-M,-H  
MEDIUM POWER GENERAL USE  
INSULATED TYPE  
RM30DZ/CZ-M,-H  
IF(AV) Average forward current ............ 30A  
VRRM Repetitive peak reverse voltage  
................400/800V  
DOUBLE ARMS  
Insulated Type  
UL Recognized  
Yellow Card No. E80276 (N)  
File No. E80271  
APPLICATION  
AC motor controllers, DC motor controllers, Battery DC power supplies,  
DC power supplies for control panels, and other general DC power equipment  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
93.5  
80  
2–φ6.5  
(DZ)  
A
1
K
2
A2  
K
1
SR  
1
SR2  
17.5  
20  
20  
3–M5  
(CZ)  
K1K2  
A
2
A
1
SR  
1
SR2  
LABEL  
Feb.1999  

与RM30DZ-M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM30N100HD RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 24 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30N100LD RECTRON

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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 31 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30N100T2 RECTRON

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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 27 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30N100T7 RECTRON

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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 40 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30N250DF RECTRON

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Vdss (V) : 250 V;Id @ 25C (A) : 29 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 50 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30N30S8 RECTRON

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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.2 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30P30D3 RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM30P40D3 RECTRON

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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 10.5 mOhms;Total Gate Charge (n
RM30P40D3V RECTRON

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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 10.5 mOhms;Total Gate Charge (n
RM30P55LD RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 55 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 40 mOhms;Total Gate Charge (nQ)