是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | R-PUFM-X5 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | UL RECOGNIZED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.2 V |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X5 | 最大非重复峰值正向电流: | 1000 A |
元件数量: | 6 | 相数: | 3 |
端子数量: | 5 | 最高工作温度: | 125 °C |
最大输出电流: | 60 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 2000 V | 子类别: | Bridge Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM30TPM-H | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM30TPM-H_02 | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM30TPM-M | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM3134 | RECTRON |
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Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 0.75 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 270 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM3134K | RECTRON |
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Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 0.75 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 270 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM3139K | RECTRON |
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Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 0.66 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 624 mOhms;Maximum Power Dissi | |
RM3139S5 | RECTRON |
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Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 0.66 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 624 mOhms;Maximum Power Dissi | |
RM315TJ-10SC | HRS |
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Circular Connector, 10 Contact(s), Polycarbonate, Female, Crimp Terminal, Jack | |
RM315TP-10PC | HRS |
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Circular Connector, 10 Contact(s), Polycarbonate, Male, Crimp Terminal, Plug | |
RM315TPE-10PC | HRS |
获取价格 |
Circular Connector, 10 Contact(s), Polycarbonate, Male, Crimp Terminal, Plug |