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RECTRON | ![]() |
栅 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 721K | ![]() |
描述 | ||
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 40 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 39 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 85 W;Vgs(th) (typ) : 1.9 V;Input Capacitance (Ciss) : 2000 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-247 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM30N250DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 250 V;Id @ 25C (A) : 29 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 50 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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RM30N30S8 | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.2 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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RM30P30D3 | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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RM30P40D3 | RECTRON |
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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 10.5 mOhms;Total Gate Charge (n |
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RM30P40D3V | RECTRON |
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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 10.5 mOhms;Total Gate Charge (n |
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RM30P55LD | RECTRON |
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Vdss (V) : 55 V;Id @ 25C (A) : 30 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 40 mOhms;Total Gate Charge (nQ) |
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RM30TA-H | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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RM30TA-M | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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RM30TB-H | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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RM30TB-M | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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