是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.4 |
其他特性: | UL RECOGNIZED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.3 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X5 | 最大非重复峰值正向电流: | 1000 A |
元件数量: | 6 | 相数: | 3 |
端子数量: | 5 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 60 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 800 V |
子类别: | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MEB00806 | POWEREX |
类似代替 |
Three-Phase Diode Bridge Module (60 Amperes/800 Volts) | |
50L6P43 | TOSHIBA |
功能相似 |
DIODE 3 PHASE, 50 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode | |
SKD60/08 | SEMIKRON |
功能相似 |
Power Bridge Rectifiers |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM30TB-M | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM30TC-24 | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM30TC-2H | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM30TC-40 | MITSUBISHI |
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HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM30TPM-H | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM30TPM-H_02 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM30TPM-M | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM3134 | RECTRON |
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Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 0.75 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 270 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM3134K | RECTRON |
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Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 0.75 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 270 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM3139K | RECTRON |
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Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 0.66 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 624 mOhms;Maximum Power Dissi |