5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 温彻斯特电子 - WINCHESTER |  |
连接器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 39K |  |
| 描述 | ||
| D Subminiature Connector | ||
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 连接器类型： | D SUBMINIATURE CONNECTOR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM17W2S-50-ZB | WINCHESTER |
获取价格 |
D Subminiature Connector |
|
| RM17W5P-1004 | WINCHESTER |
获取价格 |
D Subminiature Connector |
|
| RM17W5S-1004 | WINCHESTER |
获取价格 |
D Subminiature Connector |
|
| RM18 | MCC |
获取价格 |
500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts |
|
| RM1800E | MCC |
获取价格 |
500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts |
|
| RM1800E-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAE, 2 PIN |
|
| RM1800HE-34S | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| RM180N100AHD | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.2 mOhms;Total Gate Charge ( |
|
| RM180N100AT2 | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge ( |
|
| RM180N100AT2V | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge ( |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
