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RM1800E-TP PDF预览

RM1800E-TP

更新时间： 2024-11-18 19:47:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 345K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAE, 2 PIN

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RM1800E-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AC
包装说明：SMAE, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.72
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1800 V
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

RM1800E-TP 数据手册

 浏览型号RM1800E-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RM1800E-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
RM1200E  
THRU  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
Micro Commercial Components  
RM2000E  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
500 Milliamp  
High Voltage  
Silicon Rectifier  
1200 to 2000 Volts  
Features  
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
•
•
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Voltage  
•
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisture Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
SMAE  
•
•
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
H
Cathode Band  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
Maximum Maximum  
J
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
1200V  
1500V  
1800V  
2000V  
RM1200E  
RM1500E  
RM1800E  
RM2000E  
RM12  
RM15  
RM18  
RM20  
1200V  
1500V  
1800V  
2000V  
840V  
1050V  
1260V  
1400V  
A
C
E
D
B
G
DIMENSIONS  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
INCHES  
MIN  
.079  
.045  
.002  
---  
MM  
MIN  
DIM  
A
MAX  
.096  
.071  
.008  
.02  
MAX  
2.44  
1.80  
.20  
NOTE  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
500mA  
TA = 50°C  
2.01  
1.15  
.05  
B
C
D
---  
.51  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
30A  
8.3ms, half sine  
E
.030  
.189  
.157  
.090  
.060  
.208  
.180  
.115  
.76  
1.52  
5.30  
4.57  
2.92  
G
H
4.80  
4.00  
2.29  
Maximum  
J
Instantaneous  
Forward Voltage  
RM1200E-RM1800E  
RM2000E  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
0.090”  
VF  
IR  
2.0V  
3.0V  
IFM = 0.5A;  
TA = 50°C  
5.0µA  
50µA  
TA = 25°C  
TA = 100°C  
0.085”  
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
30pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
0.070”  
Note: 1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
Revision: B  
2015/10/19  
1 of 3  
123

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与RM1800E-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM1800HE-34S MITSUBISHI

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 		HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM180N100AHD RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.2 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N100AT2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N100AT2V RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N100AT7 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N100T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N30DF RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM180N30DFV RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM180N60DF RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM180N60T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge (n

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