生命周期: | Active | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | MODULE-4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.71 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
应用: | HIGH VOLTAGE HIGH POWER | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | PARALLEL CONNECTED, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-XUFM-X4 |
最大非重复峰值正向电流: | 9600 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 1800 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1700 V |
最大反向电流: | 30000 µA | 最大反向恢复时间: | 1.8 µs |
反向测试电压: | 1700 V | 子类别: | Other Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM180N100AHD | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.2 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM180N100AT2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM180N100AT2V | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM180N100AT7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM180N100T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM180N30DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n | |
RM180N30DFV | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n | |
RM180N60DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.9 mOhms;Total Gate Charge (n | |
RM180N60T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge (n | |
RM181K | ETC |
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R. F. Molded Chokes |