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RM180N60DF

更新时间: 2024-10-31 18:08:59
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RECTRON
页数 文件大小 规格书
5页 274K
描述
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.9 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 110 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 150 W;Vgs(th) (typ) : 2.0 V;Input Capacitance (Ciss) : 6052 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : DFN5X6-8L

RM180N60DF 数据手册

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RM180N60DF  
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The RM180N60DF uses  
XQLTXHO\ꢀRSWLPL]HGꢀWRꢀSURYLGHꢀWKHꢀPRVWꢀHIILFLHQWꢀKLJKꢀ  
IUHTXHQF\ꢀVZLWFKLQJꢀSHUIRUPDQFHꢁꢀ%RWKꢀFRQGXFWLRQꢀDQGꢀ  
VZLWFKLQJꢀSRZHUꢀORVVHVꢀDUHꢀPLQLPL]HGꢀGXHꢀWRꢀDQꢀH[WUHPHO\ꢀ  
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KLJKꢄIUHTXHQF\ꢀVZLWFKLQJꢀDQGꢀV\QFKURQRXVꢀUHFWLILFDWLRQꢁꢀ  
6FKHPDWLFꢀGLDJUDPꢀ  
*HQHUDOꢀ)HDWXUHVꢀ  
DS  
V
=60V,ID =180A  
ƽ
RDS(ON) <2.3 mΩ @ VGS=10V  
DS(ON) <3.5mΩ @ VGS=4.5V  
R
ƽꢀ ([FHOOHQWꢀJDWHꢀFKDUJHꢀ[ꢀ5'6ꢂRQꢃꢀSURGXFW  
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UHFWLILFDWLRQꢀ  
Halogen-free  
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ꢀꢁꢁꢂꢃ¨9GVꢃ7(67('ꢄ  
7RSꢀ9LHZꢀ             %RWWRPꢀ9LHZꢀ  
3DFNDJHꢀ0DUNLQJꢀDQGꢀ2UGHULQJꢀ,QIRUPDWLRQ  
'HYLFHꢀ0DUNLQJ  
'HYLFH  
'HYLFHꢀ3DFNDJH  
5HHOꢀ6L]H  
7DSHꢀZLGWK  
4XDQWLW\  
 
DFN5X6-8L  
180N60  
RM180N60DF  
ꢄꢀ  
-
$EVROXWHꢀ0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀꢂ7& ꢃꢄćXQOHVVꢀRWKHUZLVHꢀQRWHGꢅꢀ  
Parameter  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Value  
60  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
f20  
180  
V
Continuous Drain Current (Ta =25ć)  
Continuous Drain Current (Ta =100ć)  
Pulsed Drain Currenr (1)  
A
ID  
120  
A
IDM  
720  
A
Singel Pulsed Avalanche Energy (2)  
EAS  
PD  
306  
mJ  
W
Power Dissipation  
150  
Thermal Resistance from Junction to Case  
Junction Temperature  
RθJC  
TJ  
1.12  
150  
ć/W  
ć
Storage Temperature  
TSTG  
-55~ +150  
ć
2023-05/59  
REV:A  

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