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RM180N100AT2

更新时间： 2024-09-16 18:05:03

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RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
9页	630K
描述
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 106 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 341 W;Vgs(th) (typ) : 3.0 V;Input Capacitance (Ciss) : 7684 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-220

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RM180N100AT2 数据手册

RM180N100AT2

RM180N100AHD

RM180N100AT7

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100

2.2

2.4

2.5

180

V_DS

Feature

TO-263

TO-247

TO-220

V_GS=10V

R_DS(on),typ

I_D

High Speed Power Switching

Enhanced Body diode dv/dtcapability

㸪

100% UIS tested 100% Rg Tested

Pb-free lead plating

TO-220

TO-263

Application

Synchronous Rectification in SMPS

Hard Switching and High Speed Circuit

DC/DC in Telecoms and Inductrial

Halogen-free

TO-247

Drain

Pin2

Part Number

Package

Marking

RM180N100AHD TO-263 180N100

Gate

Pin1

RM180N100AT7

RM180N100AT2

TO-247 180N100

TO-220 180N100

Src

Pin3

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ഒꢊ:

2020-09/69

REV:O

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM180N100AT2V	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N100AT7	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N100T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N30DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM180N30DFV	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM180N60DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM180N60T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge (n
RM181K	ETC	获取价格	R. F. Molded Chokes
RM182K	ETC	获取价格	R. F. Molded Chokes
RM185N30DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 185 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.1 mOhms;Total Gate Charge (n