5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.92 | 放大器类型： | COMPARATOR |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.3 µA | 最大输入失调电压： | 4000 µV |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T8 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 负供电电压上限： | |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | 功能数量： | 2 | |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 输出类型： | OPEN-COLLECTOR |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称响应时间： | 1300 ns | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Comparator | 供电电压上限： | 36 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM195N150HD | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 195 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 4.1 mOhms;Total Gate Charge ( |
|
| RM195N150T2 | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 195 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 4.1 mOhms;Total Gate Charge ( |
|
| RM195N150T7 | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 195 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 4.1 mOhms;Total Gate Charge ( |
|
| RM1A | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diodes |
|
| RM1A23A100 | ETC |
获取价格 |
|
|
| RM1A23A25 | ETC |
获取价格 |
|
|
| RM1A23A50 | ETC |
获取价格 |
|
|
| RM1A23A75 | ETC |
获取价格 |
|
|
| RM1A23D100 | ETC |
获取价格 |
|
|
| RM1A23D25 | ETC |
获取价格 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
