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RM18P100HDE

更新时间: 2024-06-27 12:14:12
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RECTRON
页数 文件大小 规格书
7页 228K
描述
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 18 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 85 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ :

RM18P100HDE 数据手册

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RM18P100HDE  
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The RM18P100HDE uses advanced trench technology and design  
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Schematic diagram  
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Halogen-free  
P/N suffix V means AEC-Q101 qualified, e.g:RM18P100HDEV  
TO-263-2L top view  
pin assignment  
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RM18P100HDE  
TO-263-2L  
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-
18P100  
-
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7-ꢇ767*  
2021-11/15  
REV:A  

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