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| 温彻斯特电子 - WINCHESTER |  |
连接器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 98K |  |
| 描述 | ||
| D Subminiature Connector | ||
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 连接器类型： | D SUBMINIATURE CONNECTOR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM17W5S-1004 | WINCHESTER |
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D Subminiature Connector |
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| RM18 | MCC |
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500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts |
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| RM1800E | MCC |
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500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts |
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| RM1800E-TP | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAE, 2 PIN |
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| RM1800HE-34S | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| RM180N100AHD | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.2 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM180N100AT2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM180N100AT2V | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM180N100AT7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM180N100T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge ( |
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