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RM17W5P-1004

更新时间: 2024-11-18 20:10:19
品牌 Logo 应用领域
温彻斯特电子 - WINCHESTER 连接器
页数 文件大小 规格书
1页 98K
描述
D Subminiature Connector

RM17W5P-1004 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.72连接器类型:D SUBMINIATURE CONNECTOR
Base Number Matches:1

RM17W5P-1004 数据手册

  

与RM17W5P-1004相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM17W5S-1004 WINCHESTER

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D Subminiature Connector
RM18 MCC

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500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts
RM1800E MCC

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500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts
RM1800E-TP MCC

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAE, 2 PIN
RM1800HE-34S MITSUBISHI

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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM180N100AHD RECTRON

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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.2 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N100AT2 RECTRON

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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N100AT2V RECTRON

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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N100AT7 RECTRON

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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge (
RM180N100T2 RECTRON

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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 180 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge (