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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | TO-252AA, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| RFD14N05SM | FAIRCHILD |
类似代替  |
14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| MTD3055E | MOTOROLA |
功能相似 |
TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Inser |
|
| MTD10N05E | MOTOROLA |
功能相似 |
TMOS4 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RFD14N05SM9A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| RFD14N06 | INTERSIL |
获取价格 |
14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFD14N06L | INTERSIL |
获取价格 |
14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFD14N06LSM | INTERSIL |
获取价格 |
14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFD14N06LSM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| RFD14N06LSM9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| RFD14N06SM | RENESAS |
获取价格 |
14A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
|
| RFD14N06SM9A | RENESAS |
获取价格 |
14A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
|
| RFD15N06LE | INTERSIL |
获取价格 |
15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFD15N06LESM | INTERSIL |
获取价格 |
15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
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