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MTD3055E

更新时间: 2024-11-05 03:48:07
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 223K
描述
TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount

MTD3055E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.15
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
最大漏极电流 (ID):8 A最大漏源导通电阻:0.15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):100 pF
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:20 W最大功率耗散 (Abs):20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):130 ns最大开启时间(吨):80 ns
Base Number Matches:1

MTD3055E 数据手册

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