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MTD3055EL

更新时间: 2024-11-09 21:12:03
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美国国家半导体 - NSC 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 40K
描述
TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, FET General Purpose Power

MTD3055EL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.72
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A
最大漏极电流 (ID):12 A最大漏源导通电阻:0.18 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:40 W
最大功率耗散 (Abs):40 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MTD3055EL 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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