是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 40 W |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTD3055EL/L86Z | TI |
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12A, 60V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 | |
MTD3055EL1 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
MTD3055EL1 | NSC |
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TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, FET General Purpose | |
MTD3055ELRL | MOTOROLA |
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暂无描述 | |
MTD3055ELT4 | MOTOROLA |
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12A, 60V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3 | |
MTD3055ET4 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTD3055V | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
MTD3055V | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM | |
MTD3055V | ONSEMI |
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Power MOSFET 12Amps, 60 Volts | |
MTD3055V_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |