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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.12 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD3055ELRL | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTD3055ELT4 | MOTOROLA |
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12A, 60V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3 |
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| MTD3055ET4 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTD3055V | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| MTD3055V | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM |
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| MTD3055V | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 12Amps, 60 Volts |
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| MTD3055V_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MTD3055V1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 12Amps, 60 Volts |
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| MTD3055V1 | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3 |
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| MTD3055V-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3 |
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