5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 72 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 40 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 48 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 120 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 210 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD3055VT4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 12Amps, 60 Volts |
|
| MTD325SEV-20.000MHZ | MMD |
获取价格 |
Oscillator, |
|
| MTD325SEV-27.000MHZ | MMD |
获取价格 |
Oscillator, |
|
| MTD3302 | MOTOROLA |
获取价格 |
SINGLE TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS RDS(on) = 10 mohm |
|
| MTD3302 | ROCHESTER |
获取价格 |
8300mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, DPAK-3 |
|
| MTD3302 | ONSEMI |
获取价格 |
8300mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, DPAK-3 |
|
| MTD3302T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MTD3302T4 | ROCHESTER |
获取价格 |
8300mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, DPAK-3 |
|
| MTD3302T4 | ONSEMI |
获取价格 |
8300mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, DPAK-3 |
|
| MTD330SDV-20.000MHZ | MMD |
获取价格 |
Oscillator, |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
