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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.12 | 雪崩能效等级（Eas）： | 72 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 37 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD3055VL | FAIRCHILD |
获取价格 |
M-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTD3055VL | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.18 OHM |
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| MTD3055VL | ONSEMI |
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Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts |
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| MTD3055VL1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts |
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| MTD3055VL1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| MTD3055VL-1 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET G |
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| MTD3055VLT4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts |
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| MTD3055VLT4 | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 60V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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| MTD3055VT4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 12Amps, 60 Volts |
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| MTD325SEV-20.000MHZ | MMD |
获取价格 |
Oscillator, |
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