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MTD3055VL1

更新时间: 2024-11-09 20:14:23
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
10页 715K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

MTD3055VL1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):48 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

MTD3055VL1 数据手册

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