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RFD14N06LSM9A

更新时间： 2024-11-06 14:44:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 379K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,

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RFD14N06LSM9A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.14外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：48 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RFD14N06LSM9A 数据手册

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RFD14N06L, RFD14N06LSM, RFP14N06L  
Data Sheet  
July 1999  
File Number 4088.3  
14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level,  
N-Channel Power MOSFETs  
Features  
• 14A, 60V  
Title These are N-Channel power MOSFETs manufactured using  
• r  
DS(ON)  
= 0.100Ω  
the MegaFET process. This process, which uses feature  
FD1  
06L  
®
• Temperature Compensating PSPICE Model  
sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives  
optimum utilization of silicon, resulting in outstanding  
performance. They were designed for use in applications  
• Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, and TTL  
Circuits  
D14  
such as switching regulators, switching converters, motor  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
6LS  
drivers and relay drivers. This performance is accomplished  
through a special gate oxide design which provides full rated  
conductance at gate bias in the 3V - 5V range, thereby  
facilitating true on-off power control directly from logic level  
(5V) integrated circuits.  
o
P14  
6L)  
b-  
• 175 C Operating Temperature  
• Related Literature  
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Formerly developmental type TA09870.  
t
A,  
V,  
00  
m,  
Ordering Information  
Symbol  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
14N06L  
D
RFD14N06L  
TO-251AA  
gic  
vel,  
Cha  
el  
RFD14N06LSM  
RFP14N06L  
TO-252AA  
TO-220AB  
14N06L  
G
FP14N06L  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A, to  
obtain the TO-252AA variant in tape and reel, i.e. RFD14N06LSM9A.  
S
wer  
OS-  
Ts)  
utho  
Packaging  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
DRAIN (FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
ey-  
rds  
ter-  
GATE  
DRAIN (FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
rpo-  
on,  
gic  
JEDEC TO-220AB  
vel,  
Cha  
el  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN (FLANGE)  
wer  
OS-  
Ts,  
-
0AB  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
RFD14N06L, RFD14N06LSM, RFP14N06L Rev. A  
12345678

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与RFD14N06LSM9A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RFD14N06SM RENESAS

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 		14A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
RFD14N06SM9A RENESAS

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 		14A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
RFD15N06LE INTERSIL

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 		15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD15N06LESM INTERSIL

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 		15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD15N06LESM9A FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFD15N06LESM9A RENESAS

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 		15A, 60V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
RFD15P05 INTERSIL

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 		15A, 50V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFD15P05SM INTERSIL

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 		15A, 50V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFD15P05SM9A ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA
RFD15P06 INTERSIL

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 		15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

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