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RD48F4000P0ZBQ0

更新时间： 2024-01-06 11:00:58

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Numonyx StrataFlash Embedded Memory

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RD48F4000P0ZBQ0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	85 ns
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B88	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	4,255	端子数量：	88
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA88,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小：	4 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8,1.8/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.000115 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.028 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

RD48F4000P0ZBQ0 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory

(P30)

Datasheet

Product Features

High performance

Security

— One-Time Programmable Registers:

— 85 ns initial access

• 64 unique factory device identifier bits

• 2112 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP Space in Main Array:

• Four pre-defined 128-KByte blocks (top or bottom

configuration)

— 52 MHz with zero wait states, 17ns clock-to-data output

synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode

— Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 μs/

byte (Typ)

• Up to Full Array OTP Lockout

— Absolute write protection: V = V

— 1.8 V buffered programming at 7 μs/byte (Typ)

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

Architecture

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest

Cost

Software

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom

configuration

— 20 μs (Typ) program suspend

— 20 μs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Command Set

compatible

— 128-KByte main blocks

Voltage and Power

— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V

— Common Flash Interface capable

— V

(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V

CCQ

Density and Packaging

— Standby current: 20μA (Typ) for 64-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

13 mA (Typ) at 40 MHz

— 56- Lead TSOP package (64, 128, 256,

512- Mbit)

— 64- Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,

128, 256, 512- Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,

512- Mbit)

Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology

— 16-bit wide data bus

306666-12

August 2008

12 3 4 5 6 7...97

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