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Datasheet > 存储 > 闪存> RD48F4400P0VBQ0
RD48F4400P0VBQ0 PDF预览

RD48F4400P0VBQ0

更新时间： 2024-11-14 03:20:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储
页数 文件大小 规格书
99页 1401K
描述
Numonyx StrataFlash Embedded Memory

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RD48F4400P0VBQ0 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA88,8X12,32
针数：88Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.54Is Samacsys：N
最长访问时间：88 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B88长度：10 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16湿度敏感等级：1
功能数量：1部门数/规模：8, 510
端子数量：88字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA88,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：4 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：1.8,1.8/3.3 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,64K
最大待机电流：0.00023 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.028 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

RD48F4400P0VBQ0 数据手册

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®
Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory  
(P30)  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance  
„ Security  
— One-Time Programmable Registers:  
— 85 ns initial access  
• 64 unique factory device identifier bits  
• 2112 user-programmable OTP bits  
— Selectable OTP Space in Main Array:  
• Four pre-defined 128-KByte blocks (top or bottom  
configuration)  
— 52 MHz with zero wait states, 17ns clock-to-data output  
synchronous-burst read mode  
— 25 ns asynchronous-page read mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode  
— Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 μs/  
byte (Typ)  
• Up to Full Array OTP Lockout  
— Absolute write protection: V = V  
PP  
SS  
— 1.8 V buffered programming at 7 μs/byte (Typ)  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down  
„ Architecture  
— Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest  
Cost  
„ Software  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom  
configuration  
— 20 μs (Typ) program suspend  
— 20 μs (Typ) erase suspend  
— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized  
— Basic Command Set and Extended Command Set  
compatible  
— 128-KByte main blocks  
„ Voltage and Power  
— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V  
CC  
— Common Flash Interface capable  
— V  
(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V  
CCQ  
„ Density and Packaging  
— Standby current: 20μA (Typ) for 64-Mbit  
— 4-Word synchronous read current:  
13 mA (Typ) at 40 MHz  
— 56- Lead TSOP package (64, 128, 256,  
512- Mbit)  
— 64- Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,  
128, 256, 512- Mbit)  
— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,  
512- Mbit)  
„ Quality and Reliability  
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— ETOX™ VIII process technology  
— 16-bit wide data bus  
Order Number: 306666-11  
November 2007  
1234567...99

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与RD48F4400P0VBQ0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RD48F4400P0VBQ0A MICRON

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 		64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RD48F4400P0VBQ0B MICRON

获取价格

 		64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RD48F4400P0VBQE MICRON

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 		Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
RD48F4400P0VBQE NUMONYX

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 		Flash, 32MX16, 100ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, SCSP-88
RD48F4400P0VBQEA NUMONYX

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 		Flash, 32MX16, PBGA88, 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, SCSP-88
RD48F4400P0VBQEA MICRON

获取价格

 		1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
RD48F4400P0VBQEJ MICRON

获取价格

 		256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
RD48F4400P0VTQ0 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4400P0VTQ0A MICRON

获取价格

 		64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RD48F4444LVYBB0 INTEL

获取价格

 		Flash, 64MX16, 85ns, PBGA103, 11 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, SCSP-103

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