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RD48F4400P0VBQEA

更新时间： 2024-01-24 08:21:09

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
91页	983K
描述
Flash, 32MX16, PBGA88, 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, SCSP-88

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RD48F4400P0VBQEA 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, SCSP-88	针数：	88
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.62
其他特性：	ASYNCHRONOUS READ MODE	备用内存宽度：	16
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
长度：	11 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	88
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

RD48F4400P0VBQEA 数据手册

Numonyx^TMStrataFlash^®Embedded Memory

(P30-65nm)

256-Mbit, 512-Mbit (256M/256M)

Datasheet

Product Features

High performance

Security

— 100 ns initial access for Easy BGA

— 110 ns initial access for TSOP

— 25 ns 16-word asynchronous-page read mode

— 52 MHz with zero WAIT states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word options for

burst mode

— One-Time Programmable Register:

• 64 unique factory device identifier bits

• 2112 user-programmable OTP bits

— Absolute write protection: V = V

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

— Buffered Enhanced Factory Programming

(BEFP) at 2.0 MByte/s (Typ) using 512-word

buffer

— Password Access feature

Software

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Function

Interface (EFI) Command Set compatible

— Common Flash Interface capable

— 1.8 V buffered programming at 1.5MByte/s

(Typ) using 512-word buffer

Architecture

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density

at Lowest Cost

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

Density and Packaging

— 56-Lead TSOP package (256-Mbit only)

— 64-Ball Easy BGA package (256, 512-Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (256, 512-Mbit)

— 16-bit wide data bus

— 128-KByte main blocks

— Blank Check to verify an erased block

Voltage and Power

Quality and Reliability

— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V

CCQ

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ X process technology

— V

(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V

— Standby current: 65 µA (Typ) for 256-Mbit;

— 52 MHz continuos synchronous read current:

21mA (Typ)/24mA(Max)

Datasheet

Apr 2009

Order Number: 320002-08

12 3 4 5 6 7...91

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RD48F4400P0VBQEJ	MICRON	获取价格	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
RD48F4400P0VTQ0	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4400P0VTQ0A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RD48F4444LVYBB0	INTEL	获取价格	Flash, 64MX16, 85ns, PBGA103, 11 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, SCSP-103
RD48F4444LVZTB0	NUMONYX	获取价格	Flash, 64MX16, 88ns, PBGA88, 11 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, SCSP-88
RD48F4444PPVBQ0	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4444PPVTQ0	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4P0VB00	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4P0VBQ0	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4P0VT00	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory

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