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RD48F4000P0ZTQ0

更新时间： 2024-02-13 17:28:12

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英特尔 - INTEL		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
102页	1616K
描述
Intel StrataFlash Embedded Memory

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RD48F4000P0ZTQ0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, SCSP-88
针数：	88	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.61	最长访问时间：	88 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
JESD-609代码：	e0	长度：	11 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	4,255	端子数量：	88
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA88,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	页面大小：	4 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	1.8,1.8/3.3 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.051 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

RD48F4000P0ZTQ0 数据手册

Intel StrataFlash Embedded Memory

(P30)

1-Gbit P30 Family

Datasheet

Product Features

■ High performance

■ Security

— One-Time Programmable Registers:

— 85/88 ns initial access

• 64 unique factory device identifier bits

• 64 user-programmable OTP bits

• Additional 2048 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP Space in Main Array:

• 4x32KB parameter blocks + 3x128KB main

blocks (top or bottom configuration)

— Absolute write protection: V_PP= V_SS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

— 40 MHz with zero wait states, 20 ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode

— Buffered Enhanced Factory Programming

(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)

— 1.8 V buffered programming at 7 µs/byte (Typ)

■ Architecture

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density

at Lowest Cost

■ Software

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Intel^®Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Command

Set compatible

— 128-KByte main blocks

■ Voltage and Power

— V_CC(core) voltage: 1.7 V – 2.0 V

— V_CCQ(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V

— Standby current: 55 µA (Typ) for 256-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

13 mA (Typ) at 40 MHz

— Common Flash Interface capable

■ Density and Packaging

— 64/128/256-Mbit densities in 56-Lead TSOP

package

— 64/128/256/512-Mbit densities in 64-Ball

Intel® Easy BGA package

— 64/128/256/512-Mbit and 1-Gbit densities in

Intel® QUAD+ SCSP

■ Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

• 1-Gbit in SCSP is –30 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology (130 nm)

— 16-bit wide data bus

The Intel StrataFlash^®Embedded Memory (P30) product is the latest generation of Intel

StrataFlash^®memory devices. Offered in 64-Mbit up through 1-Gbit densities, the P30 device

brings reliable, two-bit-per-cell storage technology to the embedded flash market segment.

Benefits include more density in less space, high-speed interface, lowest cost-per-bit NOR

device, and support for code and data storage. Features include high-performance synchronous-

burst read mode, fast asynchronous access times, low power, flexible security options, and three

industry standard package choices.

The P30 product family is manufactured using Intel^®130 nm ETOX™ VIII process technology.

Order Number: 306666, Revision: 001

April 2005

12 3 4 5 6 7...102

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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