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RD48F4400P0VBQEJ PDF预览

RD48F4400P0VBQEJ

更新时间： 2024-01-10 16:28:44
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存内存集成电路
页数 文件大小 规格书
95页 1351K
描述
256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm

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RD48F4400P0VBQEJ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.86Is Samacsys：N
最长访问时间：100 ns启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B88
JESD-609代码：e0内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
部门数/规模：8, 510端子数量：88
字数：33554432 words字数代码：32000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA88,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：235
电源：1.8,1.8/3.3 V编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified部门规模：16K,64K
最大待机电流：0.00042 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.031 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD SILVER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：NO
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

RD48F4400P0VBQEJ 数据手册

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256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm  
Features  
Micron Parallel NOR Flash Embedded  
Memory (P30-65nm)  
JS28F256P30B/TFx, RC28F256P30B/TFx, PC28F256P30B/TFx,  
RD48F4400P0VBQEx, RC48F4400P0VB0Ex,  
PC48F4400P0VB0Ex, PF48F4000P0ZB/TQEx  
• Security  
Features  
• High performance  
– One-Time Programmable Register: 64 OTP bits,  
programmed with unique information from Mi-  
cron; 2112 OTP bits available for customer pro-  
gramming  
– 100ns initial access for Easy BGA  
– 110ns initial access for TSOP  
– 25ns 16-word asychronous page read mode  
– 52 MHz (Easy BGA) with zero WAIT states and  
17ns clock-to-data output synchronous burst  
read mode  
– Absolute write protection: VPP = VSS  
– Power-transition erase/program lockout  
– Individual zero-latency block locking  
– Individual block lock-down  
– Password access  
• Software  
– 4-, 8-, 16-, and continuous word options for burst  
mode  
– Buffered enhanced factory programming (BEFP)  
at 2MB/s (TYP) using a 512 word buffer  
– 1.8V buffered programming at 1.14MB/s (TYP)  
using a 512 word buffer  
– 25μs (TYP) program suspend  
– 25μs (TYP) erase suspend  
– Flash Data Integrator optimized  
– Basic command set and extended function Inter-  
face (EFI) command set compatible  
– Common flash interface  
• Architecture  
– MLC: highest density at lowest cost  
– Asymmetrically blocked architecture  
– Four 32-KB parameter blocks: top or bottom con-  
figuration  
– 128KB main blocks  
– Blank check to verify an erased block  
• Voltage and power  
• Density and Packaging  
– 56-lead TSOP package (256Mb only)  
– 64-ball Easy BGA package (256Mb, 512Mb)  
– QUAD+ and SCSP packages (256Mb, 512Mb)  
– 16-bit wide data bus  
• Quality and Reliabilty  
– VCC (core) voltage: 1.7V to 2.0V  
– VCCQ (I/O) voltage: 1.7V to 3.6V  
– Standy current: 65µA (TYP) for 256Mb  
– 52 MHz continuous synchronous read current:  
21mA (TYP), 24mA (MAX)  
– JESD47E compliant  
– Operating temperature: –40 °C to +85 °C  
– Minimum 100,000 erase cycles per block  
– 65nm process technology  
PDF: 09005aef84566799  
p30_65nm_256Mb-512mb.pdf - Rev. A 1/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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与RD48F4400P0VBQEJ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RD48F4400P0VTQ0 INTEL

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 		Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4400P0VTQ0A MICRON

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 		64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
RD48F4444LVYBB0 INTEL

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 		Flash, 64MX16, 85ns, PBGA103, 11 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, SCSP-103
RD48F4444LVZTB0 NUMONYX

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 		Flash, 64MX16, 88ns, PBGA88, 11 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, SCSP-88
RD48F4444PPVBQ0 INTEL

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 		Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4444PPVTQ0 INTEL

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 		Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4P0VB00 INTEL

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 		Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4P0VBQ0 INTEL

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 		Intel StrataFlash Embedded Memory
RD48F4P0VT00 INTEL

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RD48F4P0VTQ0 INTEL

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