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PHM21NQ15T

更新时间： 2024-11-23 22:10:11

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恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
13页	261K
描述
TrenchMOS standard level FET

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PHM21NQ15T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22.2 A
最大漏极电流 (ID)：	22.2 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	62.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHM21NQ15T 数据手册

PHM21NQ15T

TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 02 — 11 September 2003

Product data

M3D879

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ SOT96 (SO8) footprint compatible

■ Surface mounted package

■ Low thermal resistance

■ Low proﬁle.

1.3 Applications

■ DC-to-DC primary side

■ Portable equipment applications.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 150 V

■ P_tot≤ 62.5 W

■ I_D≤ 22.2 A

■ R_DSon≤ 55 mΩ

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT685-1 (QLPAK), simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

1,2,3

5,6,7,8 drain (d)

mb mounting base

connected to drain

MBB076

Bottom view

MBL585

SOT685-1(QLPAK)

[1] Shaded area indicates pin 1 identiﬁer.

12 3 4 5 6 7...13

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PHM21NQ15T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PHM21NQ15T,518	NXP	功能相似	PHM21NQ15T

与PHM21NQ15T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHM21NQ15T,518	NXP	获取价格	PHM21NQ15T
PHM25NQ10T	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
PHM30NQ10T	NXP	获取价格	TrenchMOS?? standard level FET
PHM5601	NIEC	获取价格	560A 150V
PHM5601_1	NIEC	获取价格	560A 150V
PHM8001	NIEC	获取价格	MOSFET MODULE Single 900A/150A
PHM8001_1	NIEC	获取价格	800A 150V
PHM960-16	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| M:HL041HDXXX
PHMB1200B12	NIEC	获取价格	IGBT MODULE Single 1200A 1200V
PHMB1200B12_1	NIEC	获取价格	1200A 1200V