5秒后页面跳转
PHM25NQ10T PDF预览

PHM25NQ10T

更新时间: 2024-11-23 21:55:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
13页 265K
描述
TrenchMOS standard level FET

PHM25NQ10T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84雪崩能效等级(Eas):170 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):31.7 A
最大漏极电流 (ID):30.7 A最大漏源导通电阻:0.03 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-N8
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):69.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PHM25NQ10T 数据手册

 浏览型号PHM25NQ10T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PHM25NQ10T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PHM25NQ10T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PHM25NQ10T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PHM25NQ10T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PHM25NQ10T的Datasheet PDF文件第7页 
PHM25NQ10T  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 03 — 11 September 2003  
Product data  
M3D879  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology.  
1.2 Features  
SOT96 (SO-8) footprint compatible  
Surface mounted package  
Low thermal resistance  
Low profile.  
1.3 Applications  
DC-to-DC primary side  
Portable equipment applications.  
1.4 Quick reference data  
VDS 100 V  
Ptot 62.5 W  
ID 30.7 A  
RDSon 30 m.  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pin  
Pinning - SOT685-1 (QLPAK), simplified outline and symbol  
Description  
source (s)  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
[1]  
1,2,3  
4
d
1
4
5,6,7,8 drain (d)  
mb mounting base,  
connected to drain (d)  
mb  
g
s
MBB076  
8
5
Bottom view  
MBL585  
SOT685-1 (QLPAK)  
[1] Shaded area indicates terminal 1 index area.  

与PHM25NQ10T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHM30NQ10T NXP

获取价格

TrenchMOS?? standard level FET
PHM5601 NIEC

获取价格

560A 150V
PHM5601_1 NIEC

获取价格

560A 150V
PHM8001 NIEC

获取价格

MOSFET MODULE Single 900A/150A
PHM8001_1 NIEC

获取价格

800A 150V
PHM960-16 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX
PHMB1200B12 NIEC

获取价格

IGBT MODULE Single 1200A 1200V
PHMB1200B12_1 NIEC

获取价格

1200A 1200V
PHMB200B12 NIEC

获取价格

200A 1200V
PHMB200B12_1 NIEC

获取价格

200A 1200V