5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > PHM8001_1
PHM8001_1 PDF预览

PHM8001_1

更新时间： 2024-11-20 10:13:11
品牌 Logo 应用领域
NIEC /
页数 文件大小 规格书
5页 117K
描述
800A 150V

阅读下载

中文翻译

获取价格

PHM8001_1 数据手册

 浏览型号PHM8001_1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PHM8001_1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PHM8001_1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PHM8001_1的Datasheet PDF文件第5页 
ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ  
８００ Ａ，１５０Ｖ  
ＰＨＭ８００１  
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
Dimension:［mm］  
特長  
* 大容量（800ADC）です  
* トレンチゲートＭＯＳＦＥＴを搭載  
* 超低RDS(on)：１．４mΩ（＠800A）を実現  
* 内臓ダイオードが高速  
用途  
* バッテリフォークリフト用チョッパ  
* ４８Ｖ級直流電源制御用  
結 線 図  
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）  
質量：約650ｇ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＤＳＳ  
ＶＧＳＳ  
ＩＤ  
Ｕｎｉｔ  
Ｉｔｅｍ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
ドレイン・ソ－ス間電圧（ＶＧＳ＝０Ｖ）  
Ｄrain-Ｓource Ｖoltage  
１５０  
±２０  
Ｖ
Ｖ
ゲート・ソース間電圧  
Ｇate-Ｓource Ｖoltage  
Ｄuty=50％  
ＤＣ 端子温度=80℃  
８００  
６４０  
ド レ イ ン 電 流  
Ｄrain Ｃurrent  
Ａ
パ ル ス ド レ イ ン 電 流  
Ｐulsed Ｄrain Ｃurrent  
ＩＤＭ  
１，６００  
２，６５０  
Ａ
全
損
失
ＰＤ  
Ｗ
Ｔotal Ｐower Ｄissipation  
動
作
接
合
温
度
Ｔｊ  
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
２，５００  
℃
Ｊunction Ｔemperature Ｒange  
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ  
ＶＩＳＯ  
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange  
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)  
Ｉsolation Ｖoltage  
Ｖ（ＲＭＳ）  
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink  
締 め 付 け ト ル ク  
３（３０.６）  
１.４（１４.３）  
１０.５（１０７）  
Ｎ・ｍ  
Ｆｔｏｒ  
Ｍ４  
Ｍ８  
Ｍounting Ｔorque  
(kgf･cm)  
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal  
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
ドレイン遮断電流  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＤＳＳ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
ＶＤＳ= 150V,ＶＧＳ= 0V  
ＶＧＳ= ±20V,ＶＤＳ= 0V  
４.８  
４.８  
ｍＡ  
μＡ  
Ｚero Ｇate Ｖoltage Ｄrain Ｃurrent  
ゲート漏れ電流  
ＩＧＳＳ  
ＶＧS（ｔｈ）  
ＲＤＳ（ｏｎ）  
ＶＤＳ（ｏｎ）  
ｇfs  
－
１.０  
－
－
Ｇate-Ｓource Ｌeakage Ｃurrent  
ゲートしきい値電圧  
ＶＤＳ=ＶＧＳ,ＩＤ=20mA  
ＶＧＳ=10V,ＩＤ=800A  
ＶＧＳ=10V,ＩＤ=800A  
ＶＤＳ=15V,ＩＤ=800A  
２.０  
３.２  
１.４  
Ｖ
mΩ  
Ｖ
Ｇate-Ｓource Ｔhreshold Ｖoltage  
ドレイン・ソース間オン抵抗（ＭＯＳＦＥＴ部）  
Ｄrain-Ｓource Ｏn-Ｒesistance  
１.１５  
１.１０  
ドレイン・ソース間オン電圧  
Ｄrain-Ｓource Ｏn-Ｖoltage  
－
１.２５  
順伝達コンダクタンス  
Ｆorward Ｔransconductance  
入
出
帰
力
力
還
容
容
容
量
量
量
Ｉnput Ｃapacitance  
Ｃｉｅｓ  
Ｃ
－
１６５  
－
ｎＦ  
ｐＦ  
ｐＦ  
ＶＧＳ=0V ＶＤＳ=10V  
ｆ=1MHＺ  
Ｏutput Ｃapacitance  
－
－
－
－
２０  
２０  
－
－
－
－
Ｒeverse Ｔransfer Ｃapacitance  
Ｃ
上 昇 時 間 Ｒise  
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime  
下 降 時 間 Ｆall Ｔime  
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime  
Ｔime  
ｔｒ  
５００  
８８０  
ＶＤＤ=80V  
ｔｏｎ  
ｔｆ  
スイッチング時間  
Ｓwitching Ｔime  
ＩＤ=400A  
ｎｓ  
ＲＧ=0.75Ω  
ＶＧＳ=-5V,+10V  
－
－
１８０  
－
－
ｔｏｆｆ  
１３００  
12345

中文翻译

下载PDF

与PHM8001_1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHM960-16 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX
PHMB1200B12 NIEC

获取价格

 		IGBT MODULE Single 1200A 1200V
PHMB1200B12_1 NIEC

获取价格

 		1200A 1200V
PHMB200B12 NIEC

获取价格

 		200A 1200V
PHMB200B12_1 NIEC

获取价格

 		200A 1200V
PHMB200BS12 NIEC

获取价格

 		IGBT 200 A 1200 V
PHMB200C12 NIEC

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
PHMB300A6 NIEC

获取价格

 		300 A 600 V
PHMB300A6_1 NIEC

获取价格

 		300 A 600 V
PHMB300B12 NIEC

获取价格

 		300A 1200V

与PHM8001_1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证