Datasheet > 晶体管 > IGBT> PHMB300BS12

PHMB300BS12

更新时间： 2024-11-24 06:00:31

品牌	Logo	应用领域
NIEC		晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	270K
描述
IGBT 300 A 1200 V

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PHMB300BS12 数据手册

PHMB300BS12

IGBT

300 A 1200 V

■回路図ꢀCIRCUIT

■外形寸法図ꢀOUTLINE DRAWING （単位ꢀDimension：mm）

■最大定格ꢀMaximum Ratings（T^C＝25℃）

項ꢀꢀꢀ目

Item

記号

Symbol

定ꢀ格ꢀ値

Rated Value

単位

Unit

コレクタ・エミッタ間電圧

Collector-Emitter Voltage

ゲート・エミッタ間電圧

Gate-Emitter Voltage

V^CES

V^GES

1200

±20

300

600

コレクタ電流

Collector Current

1ms

I^CP

コレクタ損失

P^C

T^j

1800

℃

Collector Power Dissipation

接合温度

Junction Temperature Range

保存温度

Storage Temperature Range

絶縁耐圧（端子－ベース間，AC１分間）

Isolation Voltag（e Terminal to Base, AC１min.）

－40～＋150

－40～＋125

2500

T^stg

Viso

℃

V（RMS）

ベース取付部

3（30.6）

Module Base to Heatsink

締付トルク

Mounting Torque

N・m

（kgf・cm）

F^tor

1.4（14.3）

端子部

Busbar to Terminal

3（30.6）

■電気的特性ꢀElectrical Characteristics（TC＝25℃）

項ꢀꢀꢀ目

Characteristic

記号

Symbol

条ꢀꢀꢀ件

Test Conditions

最小

Min.

標準

Typ.

最大

Max.

単位

Unit

コレクタ遮断電流

I^CES

I^GES

V^CE＝1200V, V^GE＝0V

V^GE＝±20V, VCE＝0V

─

4.0

─

3.00

1.00

2.70

8.00

─

μA

Collector-Emitter Cut-Off Current

ゲート漏れ電流

Gate-Emitter Leakage Current

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Collector-Emitter Saturation Voltage

ゲートしきい値電圧

Gate-Emitter Threshold Voltage

入力容量

Input Capacitance

V^{C（E sat）}IC＝300A, VGE＝15V

V^{G（E th）}VCE＝5V, IC＝300mA

2.30

─

C^ies

t^r

VCE＝10V, VGE＝0V, f＝1MHz

18900

0.25

0.40

0.25

0.80

上昇時間

Rise Time

ターン・オン時間

Turn-On Time

0.45

0.70

0.35

1.10

VCC＝600V

R^L＝2.0Ω

R^G＝5.1Ω

V^GE＝±15V

t^on

t^f

スイッチング時間

Switching Time

下降時間

μs

Fall Time

ターン・オフ時間

Turn-Off Time

t^off

─ 401 ─

12 3

中文翻译

下载PDF

与PHMB300BS12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHMB300C12	NIEC	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
PHMB300E6	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PHMB400A6	NIEC	获取价格	400 A 600 V
PHMB400A6_1	NIEC	获取价格	400 A 600 V
PHMB400B12	NIEC	获取价格	IGBT MODULE Single 400A 1200V
PHMB400B12_1	NIEC	获取价格	400A 1200V
PHMB400BS12	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PHMB400C12	NIEC	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
PHMB400E6	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PHMB50B12CL	NIEC	获取价格	IGBT