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PHMB800BS12

更新时间： 2024-11-20 06:00:31
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NIEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
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4页 304K
描述
IGBT Module-Dual

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PHMB800BS12 数据手册

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(2/5）  
ＰＨＭＢ８００ＢＳ１２  
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ  
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ  
８００ Ａ，１２００Ｖ  
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
11 0  
93±0.25  
4 - Ø6.5  
2 -M8  
4
1
(E)  
2
(C)  
1
2
(E)  
4
(G)  
3
3
13 21  
29  
2 -M4  
LABEL  
Dimension:［mm］  
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ｖ
コレクタ・エミッタ間電圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage  
ＶＣＥＳ  
ＶＧＥＳ  
１，２００  
±２０  
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage  
Ｖ
Ａ
ＩＣ  
ＤＣ  
８００  
コ レ ク タ 電 流  
Ｃollector Ｃurrent  
ＩＣＰ  
１ｍｓ  
１，６００  
コ レ ク タ 損 失  
Ｃollector Ｐower Ｄissipation  
ＰＣ  
Ｔｊ  
４，８００  
Ｗ
接
合
温
Ｊunction Ｔemperature Ｒange  
度
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
２,５００  
℃
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ  
ＶＩＳＯ  
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange  
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)  
絶
縁
耐
Ｖ（ＲＭＳ）  
Ｉsolation Ｖoltage  
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink  
Ｂusbar to Ｔerminals  
３（３０.６）  
１.４（１４.３）  
１０.５（１０７）  
締 め 付 け ト ル ク  
Ｍounting Ｔorque  
Ｎ・ｍ  
(kgf･cm)  
Ｆｔｏｒ  
Ｍ４  
Ｍ８  
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＣＥＳ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
８.０  
１.０  
２.７  
８.０  
－
ｍＡ  
μＡ  
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
ＩＧＥＳ  
ＶＣＥ（ｓａｔ）  
ＶＧＥ（ｔｈ）  
Ｃｉｅｓ  
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V  
ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V  
－
－
－
２.３  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Ｖ
Ｖ
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA  
４.０  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage  
入
力
容
量
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ  
50,400  
ｐＦ  
Ｉnput Ｃapacitance  
ｔｒ  
ｔｏｎ  
ｔｆ  
上 昇 時 間 Ｒise  
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime  
下 降 時 間 Ｆall Ｔime  
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime  
Ｔime  
－
－
－
－
０.２５  
０.４０  
０.２５  
０.８０  
０.４５  
０.７０  
０.３５  
１.１０  
ＶＣＣ= 600V  
ＲL= 0.75Ω  
ＲG= 2.0Ω  
ＶＧＥ= ±15V  
スイッチング時間  
Ｓwitching Ｔime  
μｓ  
ｔｏｆｆ  
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＦ  
ＩＦＭ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
８００  
Ｕｎｉｔ  
Ａ
順
電
流
ＤＣ  
Ｆorward Ｃurrent  
１ｍｓ  
１，６００  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
圧
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＦ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
２.２  
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
順
電
ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= 0V  
２.６  
０.３  
Ｖ
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage  
逆 回 復 時 間  
ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= -10V  
ｄi/ｄt= 1600A/μs  
ｔｒｒ  
－
０.２  
μｓ  
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime  
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
抗
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒth(j-c)  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Junction to Case  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
熱
抵
ＩＧＢＴ  
Ｄiode  
０.０４０  
℃／Ｗ  
Ｔhermal Ｉmpedance  
－
－
０．５４０  
00  
日本インター株式会社  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHMB800E6 NIEC

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