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PHMB400E6

更新时间： 2024-02-24 01:02:39
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NIEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 247K
描述
IGBT Module-Dual

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PHMB400E6 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：400 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：400 ns标称接通时间 (ton)：300 ns
Base Number Matches：1

PHMB400E6 数据手册

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QS043-402-20393（2/5）  
ＰＨＭＢ４００Ｅ６  
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ  
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ  
４００Ａ，６００Ｖ  
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
108  
93  
4 - Ø6.5  
9
2 -M6  
(E)  
2
(C)  
1
2
1
(E)  
4
4
3
(G)  
3
29  
24  
20  
2 -M4  
11  
LABEL  
Dimension:［mm］  
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ｖ
コレクタ・エミッタ間電圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage  
ＶＣＥＳ  
ＶＧＥＳ  
６００  
±２０  
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage  
Ｖ
Ａ
ＩＣ  
ＤＣ  
４００  
８００  
コ レ ク タ 電 流  
Ｃollector Ｃurrent  
ＩＣＰ  
１ｍｓ  
コ レ ク タ 損 失  
Ｃollector Ｐower Ｄissipation  
ＰＣ  
Ｔｊ  
１４７０  
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
２,５００  
Ｗ
接
合
温
Ｊunction Ｔemperature Ｒange  
度
℃
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ  
ＶＩＳＯ  
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange  
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)  
絶
縁
耐
Ｖ（ＲＭＳ）  
Ｉsolation Ｖoltage  
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink  
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal  
３（３０．６）  
１．４（１４．３）  
３（３０．６）  
締 め 付 け ト ル ク  
Ｍounting Ｔorque  
Ｎ・ｍ  
(kgf･cm)  
Ｆｔｏｒ  
Ｍ４  
Ｍ６  
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＣＥＳ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
ｍＡ  
μＡ  
Ｖ
１.０  
１.０  
２.６  
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
ＩＧＥＳ  
ＶＣＥ（ｓａｔ）  
ＶＧＥ（ｔｈ）  
Ｃｉｅｓ  
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V  
ＩＣ= 400A,ＶＧＥ= 15V  
－
－
－
２.１  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 400mA  
Ｖ
４.０  
－
８.０  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage  
入
力
容
量
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ  
ｐＦ  
20,000  
Ｉnput Ｃapacitance  
ｔｒ  
ｔｏｎ  
ｔｆ  
ＶＣＣ= 300V  
ＲＬ= 0.75Ω  
ＲＧ= 3.0Ω  
ＶＧＥ= ±15V  
－
－
－
－
０.１５  
０.３０  
０.１０  
０.４０  
上 昇 時 間 Ｒise  
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime  
下 降 時 間 Ｆall Ｔime  
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime  
Ｔime  
０.３５  
０.８５  
０.２５  
０.８０  
スイッチング時間  
Ｓwitching Ｔime  
μｓ  
ｔｏｆｆ  
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＦ  
ＩＦＭ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ａ
順
電
流
ＤＣ  
４００  
８００  
Ｆorward Ｃurrent  
１ｍｓ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
圧
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＦ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
１.９  
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
順
電
ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= 0V  
２.４  
Ｖ
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage  
逆 回 復 時 間  
ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= -10V  
ｄi/ｄt= 800A/μs  
ｔｒｒ  
－
０.１５  
０.２５  
μｓ  
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime  
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
抗
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒth(j-c)  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Junction to Case  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
熱
抵
ＩＧＢＴ  
Ｄiode  
０.０８５  
℃／Ｗ  
０.２０  
Ｔhermal Ｉmpedance  
（Tc測定点チップ直下）  
－
－
00  
日本インター株式会社  
1234

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