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PHMB50E6CL

更新时间： 2024-11-20 19:55:15
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NIEC 栅
页数 文件大小 规格书
4页 243K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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PHMB50E6CL 数据手册

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ＩＧＢＴ Module  
５０Ａ／６００Ｖ  
ＰＨＭＢ５０Ｅ６ＣＬ  
□ 回路図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ  
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
Dimension:［mm］  
:
:
:
□
最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ TC=25°C ）  
Ｉｔｅｍ  
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＣＥＳ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ｖ
６００  
±２０  
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage  
ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｖ oltage  
ＶＧＥＳ  
Ｖ
ＩＣ  
ＤＣ  
５０  
コ
レ ク タ 電 流  
Ａ
Ｃollector Ｃurrent  
ＩＣＰ  
１ｍｓ  
１００  
コ
レ
ク
タ
損
失
ＰＣ  
２５０  
Ｗ
℃
Ｃollector Ｐower Ｄissipation  
接
合
温
度
Ｔｊ  
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
２,５００  
Ｊunction Ｔemperature Ｒange  
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ  
ＶＩＳＯ  
Ｆｔｏｒ  
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange  
絶
縁
耐
圧
(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)  
Ｖ(ＲＭＳ）  
Ｉsolation Ｖoltage  
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink  
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal  
締 め 付 け ト ル ク  
Ｍounting Ｔorque  
Ｎ・ｍ  
１.４（１４.３）  
(kgf･cm)  
□
電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ TC=25°C ）  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＣＥＳ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ.  
１.０  
Ｕｎｉｔ  
ｍＡ  
コ
レ
ク
タ
遮
断
電
流
ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V  
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V  
ＩＣ= 50A,ＶＧＥ= 15V  
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent  
ゲ
ー
ト
漏
れ
電
流
ＩＧＥＳ  
ＶＣＥ(sat)  
ＶＧＥ(th)  
μＡ  
Ｖ
－
－
－
１.０  
２.６  
８.０  
－
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｌ eakage Ｃ urrent  
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 飽 和 電 圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage  
２.１  
－
ゲ
ー
ト
し
き
い
値
電
圧
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 50mA  
Ｖ
４.０  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage  
入
力
容
量
Ｃｉｅｓ  
ｔｒ  
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ  
ｐＦ  
2,500  
Ｉnput Ｃapacitance  
上
昇
時
間
Ｒise  
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime  
Ｆall Ｔime  
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime  
Ｔime  
ＶＣＣ= 300V  
ＲＬ= 6.0Ω  
ＲＧ= 20Ω  
－
－
－
－
０.１５  
０.２５  
０.１０  
０.３５  
０.３０  
０.４０  
０.３５  
０.７０  
ス イ ッ チ ン グ 時 間  
Ｓ witching Ｔ ime  
ｔｏｎ  
ｔｆ  
μｓ  
下
降
時 間  
ＶＧＥ= ±15V  
ｔｏｆｆ  
□
熱
熱
的
特
性
： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
抗
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒth(j-c)  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ.  
Ｕｎｉｔ  
℃／Ｗ  
抵
Junction to Case  
０.５０  
Ｔ hermal Ｉ mpedanc e  
（Tcチップ直下での測定点）  
1234

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与PHMB50E6CL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHMB600A6 NIEC

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 		600 A 600 V
PHMB600B12 NIEC

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 		600A 1200V
PHMB600B12_1 NIEC

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 		600A 1200V
PHMB600B12C NIEC

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 		600A 1200V
PHMB600BS12 NIEC

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 		IGBT Module-Dual
PHMB600BS12C NIEC

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 		IGBT Module-Dual
PHMB600C12 NIEC

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
PHMB600E6 NIEC

获取价格

 		IGBT Module-Dual
PHMB600E6C NIEC

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 		IGBT Module-Dual
PHMB800A6 NIEC

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 		IGBT MODULE Single 800A 600V

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