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PHMB400A6

更新时间： 2024-11-24 10:13:11

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描述
400 A 600 V

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PHMB400A6 数据手册

PH M B400A 6

IG B T 400 A 600 V

■回路図ꢀCIRCU IT

■外形寸法図ꢀO U TLIN E D RAW IN G （単位ꢀDim ension：m m ）

■最大定格ꢀM axim um Ratings（TC＝25℃）

単位

Unit

項ꢀꢀꢀ目

Item

記号

Sym bol

定ꢀ格ꢀ値

Rated Value

コレクタ・エミッタ間電圧

Collector-Em itter Voltage

VCES

VGES

600

ゲート・エミッタ間電圧

Gate-Em itter Voltage

±20

400

800

コレクタ電流

Collector Current

1m s

ICP

コレクタ損失

Collector Pow er Dissipation

1470

接合温度

Junction Tem perature Range

－40～＋150

－40～＋125

2500

℃

保存温度

Storage Tem perature Range

Tstg

Viso

℃

絶縁耐圧（端子－ベース間，A C１分間）

Isolation Voltag（e Term inal to Base, A C１m in.）

V（RM S）

ベース取付部

M odule Base to Heatsink

3（30.6）

締付トルク

M ounting Torque

N・m

（kgf・cm ）

Ftor

M 4

M 6

1.4（14.3）

3（30.6）

端子部

Busbar to Term inal

■電気的特性ꢀElectrical Characteristics（TC＝25℃）

項ꢀꢀꢀ目

Characteristic

記号

Sym bol

条ꢀꢀꢀ件

Test Conditions

最小

M in.

標準

Typ.

最大

M ax.

単位

Unit

コレクタ遮断電流

Collector-Em itter Cut-Off Current

ICES

IGES

VCE＝600V, VGE＝0V

VGE＝±20V, VCE＝0V

─

4.0

─

4.0

1.0

2.6

8.0

─

m A

μA

ゲート漏れ電流

Gate-Em itter Leakage Current

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Collector-Em itter Saturation Voltage

VC（E sat） IC＝400A , VGE＝15V

VG（E th） VCE＝5V, IC＝400m A

Cies

2.1

ゲートしきい値電圧

Gate-Em itter Threshold Voltage

─

入力容量

Input Capacitance

VCE＝10V, VGE＝0V, f＝1M Hz

─

40000

上昇時間

Rise Tim e

ターン・オン時間

─

0.25

0.45

0.2

0.45

0.85

0.35

0.8

VCC＝300V

R^L＝0.75Ω

R^G＝1.6Ω

V^GE＝±15V

ton

スイッチング時間 Turn-On Tim e

μs

Sw itching Tim e

下降時間

Fall Tim e

ターン・オフ時間

Turn-Off Tim e

toff

0.6

─ 349 ─

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PHMB400BS12	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PHMB400C12	NIEC	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
PHMB400E6	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PHMB50B12CL	NIEC	获取价格	IGBT
PHMB50E6CL	NIEC	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
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