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PHMB400C12 PDF预览

PHMB400C12

更新时间： 2024-01-02 21:34:44
品牌 Logo 应用领域
NIEC 局域网栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 108K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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PHMB400C12 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：400 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：700 ns标称接通时间 (ton)：350 ns
Base Number Matches：1

PHMB400C12 数据手册

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PH M B400C12  
IG B T 400 A 1200 V  
■回路図ꢀCIRCU IT  
■外形寸法図ꢀO U TLIN E D RAW IN G （単位ꢀDim ension：m m ）  
E
E
C
G
■最大定格ꢀM axim um Ratings（TC＝25℃）  
項ꢀꢀꢀ目  
Item  
記号  
Sym bol  
定ꢀ格ꢀ値  
Rated Value  
単位  
Unit  
コレクタ・エミッタ間電圧  
Collector-Em itter Voltage  
ゲート・エミッタ間電圧  
Gate-Em itter Voltage  
VCES  
1200  
±20  
V
V
VGES  
DC  
IC  
ICP  
IF  
400  
800  
400  
800  
コレクタ電流  
Collector Current  
A
A
1m s  
DC  
順電流  
Forw ard Current  
1m s  
IFM  
コレクタ損失  
Collector Pow er Dissipation  
PC  
1920  
W
接合温度  
Junction Tem perature Range  
保存温度  
Storage Tem perature Range  
絶縁耐圧（端子－ベース間，A C１分間）  
Isolation Voltag（e Term inal to Base, A C１m in.）  
ベース取付部  
Tj  
－40～＋150  
－40～＋125  
2500  
℃
Tstg  
Viso  
℃
V（RM S）  
3（30.6）  
M odule Base to Heatsink  
締付トルク  
M ounting Torque  
N・m  
（kgf・cm ）  
Ftor  
M 4  
M 6  
1.4（14.3）  
3（30.6）  
端子部  
Busbar to Term inal  
■電気的特性ꢀElectrical Characteristics（TC＝25℃）  
項ꢀꢀꢀ目  
Characteristic  
コレクタ遮断電流  
Collector-Em itter Cut-Off Current  
ゲート漏れ電流  
Gate-Em itter Leakage Current  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Collector-Em itter Saturation Voltage  
ゲートしきい値電圧  
記号  
Sym bol  
条ꢀꢀꢀ件  
Test Conditions  
最小  
M in.  
標準  
Typ.  
最大  
M ax.  
単位  
Unit  
ICES  
VCE＝1200V, VGE＝0V  
VGE＝±20V, VCE＝0V  
─
─
─
─
─
─
8.0  
1.0  
m A  
μA  
V
IGES  
VC（E sat） IC＝400A , VGE＝15V  
VG（E th） VCE＝5V, IC＝400m A  
Cies  
2.6  
3.3  
─
10.00  
─
V
Gate-Em itter Threshold Voltage  
入力容量  
Input Capacitance  
VCE＝10V, VGE＝0V, f＝1M Hz  
─
40000  
pF  
上昇時間  
Rise Tim e  
ターン・オン時間  
Turn-On Tim e  
下降時間  
Fall Tim e  
ターン・オフ時間  
Turn-Off Tim e  
tr  
─
─
─
─
0.25  
0.35  
0.25  
0.70  
0.45  
0.70  
0.35  
1.00  
VCC＝600V  
RL＝1.5Ω  
RG＝1.5Ω  
VGE＝±15V  
ton  
スイッチング時間  
Sw itching Tim e  
μs  
tf  
toff  
順電圧  
Peak Forw ard Voltage  
逆回復時間  
Reverse Recovery Tim e  
VF  
trr  
IF＝400A , VGE＝0V  
─
─
2.5  
0.2  
3.3  
0.3  
V
IF＝400A , VGE＝－10V  
di/dt＝800A /μs  
μs  
─ 353 ─  
123

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