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PHMB300B12_1

更新时间: 2022-11-28 15:41:08
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NIEC /
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3页 185K
描述
300A 1200V

PHMB300B12_1 数据手册

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QS043-401M0053 (2/4)  
IGBT Module-Single  
回 路 図 CIRCUIT  
,1200V  
PHMB300B12  
外 形 寸 法 図 OUTLINE DRAWING  
108  
93  
4 - Ø6.5  
2 -M6  
9
2
1
(E)  
2
(C)  
1
(E)  
4
4
3
(G)  
3
29  
24  
20  
2 -M4  
11  
LABEL  
Dimension:[mm]  
最 大 定 格 MAXIMUM RATINGS (T=25℃)  
Item Symbol  
Rated Value  
1,200  
Unit  
コレクタ・エミッタ間電圧  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
GES  
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Gate-Emitter Voltage  
±20  
C  
DC  
300  
600  
コ レ ク タ 電 流  
Collector Current  
CP  
1ms  
コ レ ク タ 損 失  
Collector Power Dissipation  
C  
j  
1,460  
-40~+150  
-40~+125  
2,500  
Junction Temperature Range  
stg  
ISO  
Storage Temperature Range  
圧(Terminal to Base AC,1minute)  
(RMS)  
Isolation Voltage  
Module Base to Heatsink  
Busbar to Main Terminal  
3(30.6)  
1.4(14.3)  
3(30.6)  
締 め 付 け ト ル ク  
Mounting Torque  
N・m  
(kgf・cm)  
tor  
M4  
M6  
電 気 的 特 性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃)  
Characteristic  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Symbol  
CES  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
CE= 1200V,VGE= 0V  
GE= ±20V,VCE= 0V  
= 300A,VGE= 15V  
6.0  
1.0  
2.4  
8.0  
mA  
μA  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
GES  
CE(sat)  
GE(th)  
ies  
1.9  
Gate-Emitter Leakage Current  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
CE= 5V,I= 300mA  
4.0  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
CE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ  
25,000  
pF  
Input Capacitance  
r  
on  
f  
上 昇 時 間 Rise  
ターンオン時間 Turn-on Time  
下 降 時 間 Fall Time  
ターンオフ時間 Turn-off Time  
Time  
0.25  
0.40  
0.25  
0.80  
0.45  
0.70  
0.35  
1.10  
CC= 600V  
L= 2Ω  
スイッチング時間  
Switching Time  
μs  
G= 1.3Ω  
GE= ±15V  
off  
フリーホイーリングダイオードの 特 性FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(T=25℃)  
Item  
Symbol  
F  
FM  
Rated Value  
Unit  
DC  
300  
600  
Forward Current  
1ms  
Characteristic  
Symbol  
F  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
1.9  
Max. Unit  
= 300A,VGE= 0V  
2.4  
0.3  
Peak Forward Voltage  
逆 回 復 時 間  
= 300A,VGE= -10V  
di/dt= 600A/μs  
rr  
0.2  
μs  
Reverse Recovery Time  
熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Rth(j-c)  
Test Condition  
Junction to Case  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
IGBT  
Diode  
0.086  
℃/W  
0.16  
Thermal Impedance  
日本インター株式会社  

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