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PHM8001

更新时间： 2024-11-23 21:54:47
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NIEC 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲斩波器局域网
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4页 132K
描述
MOSFET MODULE Single 900A/150A

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PHM8001 数据手册

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MOSFET MODULE Single 800A /150V  
PHM8001  
OUTLINE DRAWING  
FEATURES  
* Trench Gate MOS FET Module  
* Super Low Rds(ON) 1.4 milliohms( @800A )  
* With Fast Recovery Source-Drain Diode  
Circuit  
TYPICAL APPLICATIONS  
* Chopper Control For FORKLIFTs  
Approximate Weight : 650g  
MAXMUM RATINGS  
Ratings  
Drain-Source Voltage (VGS=0V)  
Gate - Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
PHM8001  
150  
Unit  
V
V
+/ - 20  
Duty=50%  
D.C.  
800 (Tc=25°C)  
640 (Tc=25°C)  
1,600 Tc=25°C)  
2,650 Tc=25°C)  
-40 to +150  
-40 to +125  
2,500  
Continuous Drain Current  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
Total Power Dissipation  
IDM  
PD  
A
W
°C  
°C  
V
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Isolation Voltage Terminals to Base AC, 1 min.)  
Module Base to Heatsink  
T
jw  
Tstg  
VISO  
3.0  
Mounting Torque  
FTOR  
N•m  
Gate Terminals  
Bus Bar to Main Terminals  
M4  
M8  
1.4  
10.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@Tc=25°C unless otherwise noted)  
Characteristic  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage Current  
Gate-Source Threshold Voltage  
Static Drain-Source On-Resistance  
Drain-Source On-Voltage  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Symbol  
IDSS  
IGSS  
VGS(th) VDS=VGS, ID=16mA  
rDS(on) VGS=10V, ID=800A  
VDS(on) VGS=10V, ID=800A  
Test Condition  
VDS=VDSS,VGS=0V  
VGS=+/- 20V,VDS=0V  
Min.  
-
-
1.0  
-
-
-
-
Typ.  
-
-
2.0  
1.15  
1.10  
-
165  
20  
20  
Max.  
4.8  
4.8  
3.2  
1.4  
1.25  
-
-
-
-
Unit  
mA  
µA  
V
m-ohm  
V
S
nF  
nF  
nF  
g
VDS=15V, ID=800A  
fs  
C
ies  
Coss  
Crss  
-
-
VDS=10V,VGS=0V,f=1MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Rise Time  
Turn-On Delay Time  
Fall Time  
tr  
td(on)  
VDD= 80V  
ID=400A  
VGS= -5V, +10V  
RG= 0.75 ohm  
-
-
-
-
500  
880  
180  
-
-
-
-
ns  
t
f
Turn-Off Delay Time  
td(off)  
1,300  
FREE WHEELING DIODES RATINGS & CHARACTERISTICS (Tc=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min.  
-
Typ.  
-
Max.  
800  
650  
1,600  
1.76  
-
Unit  
A
Duty=50%.  
Continuous Source Current  
IS  
D.C. (Terminal Temperature=80°C  
Pulsed Source Current  
Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
ISM  
VSD  
trr  
-
-
-
-
-
A
V
ns  
IS=800A  
1.10  
130  
IS=800A, -dis/dt=1,600A/µs  
THERMAL CHRACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Case to Heatsink  
Symbol  
Test Condition  
Min.  
-
-
Typ.  
-
-
Max.  
0.047  
0.035  
Unit  
R
th(j-c)  
°C/W  
R
th(c-f)  
Mounting surface flat, smooth, and greased  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHM8001_1 NIEC

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 		800A 150V
PHM960-16 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX
PHMB1200B12 NIEC

获取价格

 		IGBT MODULE Single 1200A 1200V
PHMB1200B12_1 NIEC

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 		1200A 1200V
PHMB200B12 NIEC

获取价格

 		200A 1200V
PHMB200B12_1 NIEC

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 		200A 1200V
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 		IGBT 200 A 1200 V
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 		300 A 600 V
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 		300 A 600 V

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