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PHM30NQ10T

更新时间： 2024-11-23 22:07:59

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恩智浦 - NXP		/
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13页	258K
描述
TrenchMOS?? standard level FET

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PHM30NQ10T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	6 X 5 X 0.85, PLASTIC, SOT-685-1, QLPAK, HVSON-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	37.6 A	最大漏极电流 (ID)：	37.6 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	62.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHM30NQ10T 数据手册

PHM30NQ10T

TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 02 — 11 September 2003

Product data

M3D879

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ SOT96 (SO-8) footprint compatible

■ Surface mounted package

■ Low thermal resistance

■ Low proﬁle.

1.3 Applications

■ DC-to-DC primary side

■ Portable equipment applications.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 100 V

■ P_tot≤ 62.5 W

■ I_D≤ 37.6 A

■ R_DSon≤ 20 mΩ

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT685 (QLPAK), simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

1,2,3

5,6,7,8 drain (d)

mb mounting base,

connected to drain (d)

MBB076

Bottom view

MBL585

SOT685-1 (QLPAK)

[1] Shaded area indicates terminal 1 index area.

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PHM5601_1	NIEC	获取价格	560A 150V
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