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PHM5601

更新时间： 2024-11-24 10:13:11
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NIEC /
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4页 116K
描述
560A 150V

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PHM5601 数据手册

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ＭＯＳＦＥＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ  
５６０Ａ，１５０Ｖ  
ＰＨＭ５６０１  
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
Dimension:［mm］  
特長  
* 大容量（560ADC）です  
* トレンチゲートＭＯＳＦＥＴを搭載  
* 超低RDS(on)：２mΩ（＠560A）を実現  
* 内臓ダイオードが高速  
結 線 図  
用途  
* バッテリフォークリフト用チョッパ  
* ４８Ｖ級直流電源制御用  
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）  
質量：約６５０ｇ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｕｎｉｔ  
Ｉｔｅｍ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
ドレイン・ソ－ス間電圧（ＶＧＳ＝０Ｖ）  
Ｄrain-Ｓource Ｖoltage  
ＶＤＳＳ  
ＶＧＳＳ  
ＩＤ  
１５０  
±２０  
Ｖ
Ｖ
ゲート・ソース間電圧  
Ｇate-Ｓource Ｖoltage  
Ｄuty=50％  
ＤＣ 端子温度=80℃  
５６０  
４４０  
ド レ イ ン 電 流  
Ｄrain Ｃurrent  
Ａ
パ ル ス ド レ イ ン 電 流  
Ｐulsed Ｄrain Ｃurrent  
ＩＤＭ  
ＰＤ  
１，１２０  
１，７８０  
Ａ
全
損
失
Ｗ
Ｔotal Ｐower Ｄissipation  
動
作
接
合
温
度
Ｔｊ  
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
２，５００  
℃
Ｊunction Ｔemperature Ｒange  
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ  
ＶＩＳＯ  
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange  
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)  
Ｉsolation Ｖoltage  
Ｖ（ＲＭＳ）  
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink  
締 め 付 け ト ル ク  
３（３０.６）  
１.４（１４.３）  
１０.５（１０７）  
Ｎ・ｍ  
Ｆｔｏｒ  
Ｍ４  
Ｍ８  
Ｍounting Ｔorque  
(kgf･cm)  
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal  
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
ドレイン遮断電流  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＤＳＳ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ.  
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
ＶＤＳ= 150V,ＶＧＳ= 0V  
ＶＧＳ= ±20V,ＶＤＳ= 0V  
－
－
３.２  
３.２  
ｍＡ  
μＡ  
Ｚero Ｇate Ｖoltage Ｄrain Ｃurrent  
ゲート漏れ電流  
ＩＧＳＳ  
ＶＧS（ｔｈ）  
ＲＤＳ（ｏｎ）  
ＶＤＳ（ｏｎ）  
ｇfs  
－
Ｇate-Ｓource Ｌeakage Ｃurrent  
ゲートしきい値電圧  
ＶＤＳ=ＶＧＳ,ＩＤ=16mA  
ＶＧＳ=10V,ＩＤ=560A  
ＶＧＳ=10V,ＩＤ=560A  
ＶＤＳ=15V,ＩＤ=560A  
１.０  
－
２.０  
１.６  
１.０  
３.２  
２.０  
１.２  
Ｖ
mΩ  
Ｖ
Ｇate-Ｓource Ｔhreshold Ｖoltage  
ドレイン・ソース間オン抵抗（ＭＯＳＦＥＴ部）  
Ｄrain-Ｓource Ｏn-Ｒesistance  
ドレイン・ソース間オン電圧  
Ｄrain-Ｓource Ｏn-Ｖoltage  
－
順伝達コンダクタンス  
Ｆorward Ｔransconductance  
入
出
帰
力
力
還
容
容
容
量
量
量
Ｉnput Ｃapacitance  
Ｃｉｅｓ  
Ｃ
－
－
１１０  
１３  
－
－
ｎＦ  
ｐＦ  
ｐＦ  
ＶＧＳ=0V ＶＤＳ=10V  
ｆ=1MHＺ  
Ｏutput Ｃapacitance  
Ｒeverse Ｔransfer Ｃapacitance  
Ｃ
－
－
１３  
－
－
上 昇 時 間 Ｒise  
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime  
下 降 時 間 Ｆall Ｔime  
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime  
Ｔime  
ｔｒ  
４００  
ＶＤＤ=80V  
ｔｏｎ  
ｔｆ  
－
－
－
３８０  
１７０  
－
－
－
スイッチング時間  
Ｓwitching Ｔime  
ＩＤ=280A  
ｎｓ  
ＲＧ=1.2Ω  
ＶＧＳ=-5V,+10V  
ｔｏｆｆ  
１１００  
1234

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与PHM5601相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHM5601_1 NIEC

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 		560A 150V
PHM8001 NIEC

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 		MOSFET MODULE Single 900A/150A
PHM8001_1 NIEC

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 		800A 150V
PHM960-16 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX
PHMB1200B12 NIEC

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 		200A 1200V
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 		IGBT 200 A 1200 V
PHMB200C12 NIEC

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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