生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.75 |
雪崩能效等级(Eas): | 250 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (ID): | 22.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.055 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PHM21NQ15T | NXP |
功能相似 |
TrenchMOS standard level FET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PHM25NQ10T | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET | |
PHM30NQ10T | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS?? standard level FET | |
PHM5601 | NIEC |
获取价格 |
560A 150V | |
PHM5601_1 | NIEC |
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560A 150V | |
PHM8001 | NIEC |
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MOSFET MODULE Single 900A/150A | |
PHM8001_1 | NIEC |
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800A 150V | |
PHM960-16 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX | |
PHMB1200B12 | NIEC |
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IGBT MODULE Single 1200A 1200V | |
PHMB1200B12_1 | NIEC |
获取价格 |
1200A 1200V | |
PHMB200B12 | NIEC |
获取价格 |
200A 1200V |