5秒后页面跳转
PHM21NQ15T,518 PDF预览

PHM21NQ15T,518

更新时间: 2024-11-20 19:42:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 107K
描述
PHM21NQ15T

PHM21NQ15T,518 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.75
雪崩能效等级(Eas):250 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (ID):22.2 A最大漏源导通电阻:0.055 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-N8
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PHM21NQ15T,518 数据手册

 浏览型号PHM21NQ15T,518的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PHM21NQ15T,518的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PHM21NQ15T,518的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PHM21NQ15T,518的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PHM21NQ15T,518的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PHM21NQ15T,518的Datasheet PDF文件第7页 
PHM21NQ15T  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 02 — 11 September 2003  
Product data  
M3D879  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology.  
1.2 Features  
SOT96 (SO8) footprint compatible  
Surface mounted package  
Low thermal resistance  
Low profile.  
1.3 Applications  
DC-to-DC primary side  
Portable equipment applications.  
1.4 Quick reference data  
VDS 150 V  
Ptot 62.5 W  
ID 22.2 A  
RDSon 55 mΩ  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pin  
Pinning - SOT685-1 (QLPAK), simplified outline and symbol  
Description  
source (s)  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
[1]  
1,2,3  
4
d
1
4
5,6,7,8 drain (d)  
mb mounting base  
connected to drain  
g
mb  
s
MBB076  
8
5
Bottom view  
MBL585  
SOT685-1(QLPAK)  
[1] Shaded area indicates pin 1 identifier.  
 
 
 
 
 
 

PHM21NQ15T,518 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PHM21NQ15T NXP

功能相似

TrenchMOS standard level FET

与PHM21NQ15T,518相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHM25NQ10T NXP

获取价格

TrenchMOS standard level FET
PHM30NQ10T NXP

获取价格

TrenchMOS?? standard level FET
PHM5601 NIEC

获取价格

560A 150V
PHM5601_1 NIEC

获取价格

560A 150V
PHM8001 NIEC

获取价格

MOSFET MODULE Single 900A/150A
PHM8001_1 NIEC

获取价格

800A 150V
PHM960-16 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX
PHMB1200B12 NIEC

获取价格

IGBT MODULE Single 1200A 1200V
PHMB1200B12_1 NIEC

获取价格

1200A 1200V
PHMB200B12 NIEC

获取价格

200A 1200V