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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.6 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 170800 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | SOT23 (TO-236AB) | Samacsys Released Date： | 2015-04-13 16:49:37 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMUN2231LT1G | ONSEMI |
功能相似  |
Bias Resistor Transistor |
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| MMUN2231LT1 | ONSEMI |
功能相似 |
Bias Resistor Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC123ET,215 | NXP |
获取价格 |
PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm TO-236 3 |
|
| PDTC123ET/T4 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
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| PDTC123ETT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
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| PDTC123ETTRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PDTC123EU | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PDTC123EU | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhmProduction |
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| PDTC123EU,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm SC-70 3- |
|
| PDTC123J | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
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| PDTC123JE | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor |
|
| PDTC123JE,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC123J series - NPN resistor-equipped trans |
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