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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.11 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC123EU | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PDTC123EU | NEXPERIA |
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NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhmProduction |
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| PDTC123EU,115 | NXP |
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PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm SC-70 3- |
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| PDTC123J | NXP |
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NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
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| PDTC123JE | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor |
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| PDTC123JE,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC123J series - NPN resistor-equipped trans |
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| PDTC123JE/T4 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene |
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| PDTC123JEF | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor |
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| PDTC123JEFT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN, BIP Gene |
|
| PDTC123JET/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene |
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