Datasheet > PDTC123ET/T4

PDTC123ET/T4

更新时间： 2024-11-27 15:47:43

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	182K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDTC123ET/T4 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	3.5 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

PDTC123E series

NPN resistor-equipped transistors;

R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

Product data sheet

2004 Aug 06

Supersedes data of 2004 Mar 18

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTC123ETT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
PDTC123ETTRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
PDTC123EU	NXP	获取价格	Low VCEsat (BISS) transistors
PDTC123EU	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhmProduction
PDTC123EU,115	NXP	获取价格	PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm SC-70 3-
PDTC123J	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTC123JE	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistor
PDTC123JE,115	NXP	获取价格	PDTC123J series - NPN resistor-equipped trans
PDTC123JE/T4	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene
PDTC123JEF	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistor