5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.28 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC115TU | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
|
| PDTC115TU | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = openProduction |
|
| PDTC115TU,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC115T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = open SC-70 3-Pin |
|
| PDTC123 | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor |
|
| PDTC123E | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm |
|
| PDTC123EE | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm |
|
| PDTC123EE,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm SC-75 3- |
|
| PDTC123EEF | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm |
|
| PDTC123EEF,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC123EEF |
|
| PDTC123EK | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
