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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-PBCC-N3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.58 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PBCC-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 230 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC123ES | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm |
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| PDTC123ET | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor |
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| PDTC123ET | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhmProduction |
|
| PDTC123ET,215 | NXP |
获取价格 |
PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm TO-236 3 |
|
| PDTC123ET/T4 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
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| PDTC123ETT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
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| PDTC123ETTRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PDTC123EU | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
|
| PDTC123EU | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhmProduction |
|
| PDTC123EU,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm SC-70 3- |
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