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PDM4M4110S20Z

更新时间： 2024-01-03 20:38:22

品牌	Logo	应用领域
IXYS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	215K
描述
SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, ZIP-72

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PDM4M4110S20Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP-72	针数：	72
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.65
最长访问时间：	20 ns	JESD-30 代码：	R-XZMA-T72
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	72	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX32	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

PDM4M4110S20Z 数据手册

PRELIMINARY

PDM4M4110

(1)

Timing Waveforms of Read Cycle No.1

ADDRESS

(5)

OLZ

OHZ

ACS

(5)

CHZ

CLZ

OUT

(1,2,4)

Timing Waveforms of Read Cycle No.2

ADDRESS

OUT

Previous Data Valid

Data Valid

(1,3,4)

Timing Waveforms of Read Cycle No.3

ACS

(5)

CLZ

OUT

NOTES 1 WE is HIGH for Read Cycle.

2. Device is continuously selected. CS = V .

3. Address valid prior to or coincident with CS transition LOW.

4. OE = V .

5. Transition is measured ±200 mV for steady state. This parameter is

determined by device characteristics but is not production tested.

Rev 2.3 - 1/15/96

8-71

1...4 5 678 9 10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PDM4M4120S35Z	ETC	获取价格	x32 SRAM Module
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