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PDM4M6141S9M

更新时间: 2024-02-27 09:18:54
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
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7页 370K
描述
x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module

PDM4M6141S9M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM136
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:9 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N136
内存密度:4718592 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:72端子数量:136
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX72
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM136
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.12 A
最小待机电流:4.75 V子类别:SRAMs
最大压摆率:1 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

PDM4M6141S9M 数据手册

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