生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, DIMM136 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 9 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDMA-N136 |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 72 | 端子数量: | 136 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM136 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.12 A |
最小待机电流: | 4.75 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 1 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PDM4M6181S10M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6181S8M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6181S9M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6182S10M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6182S8M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6182S9M | ETC |
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x72 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6189S12M | ETC |
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x64 SRAM Module | |
PDM4M6189S15M | ETC |
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x64 SRAM Module | |
PDM4M6202S50M | ETC |
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x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module | |
PDM4M6202S60M | ETC |
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x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |