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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM160 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 20 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 60 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N160 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | CACHE TAG SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 160 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM160 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.9 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PDM4M6213S66M | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6224S66M | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM4M6225S66M | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| PDM505HA | NIEC | MOSFET MODULE Dual 50A/500V |
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| PDM505HA_1 | NIEC | 50A 500V |
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| PDM505HC | NIEC | MOSFET MODULE Dual 50A/500V |
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